多晶MgO烧结体及其制造方法以及溅射用MgO靶材

发明专利无效专利

申请号：
CN200980103400.2
IPC分类号：C04B35/053;C23C14/34
申请日期：
2009-01-27
申请人：
日本钨合金株式会社;宇部材料工业株式会社

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专利名称	多晶MgO烧结体及其制造方法以及溅射用MgO靶材
申请号	CN200980103400.2	申请日期	2009-01-27
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-22	公开/公告号	CN101925555A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/053 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/01 以氧化物为基料的〔6〕 C04B35/03 以用白云石生成的氧化镁、氧化钙或氧化物混合物为基料的〔6〕 C04B35/04 以氧化镁为基料的〔6〕 C04B35/053 精细陶瓷〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;0;5;3;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人	日本钨合金株式会社;宇部材料工业株式会社	申请人地址	日本福冈县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本钨合金株式会社,宇部材料工业株式会社	当前权利人	日本钨合金株式会社,宇部材料工业株式会社
发明人	永野光芳;高巢正信;在田洋;佐野聪
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	李帆

摘要

本发明提供MgO烧结体及其制造方法，所述MgO烧结体的烧结密度接近理论密度，机械性质及热传导率优良，能够减少由气体产生造成的气氛的污染。多晶MgO烧结体具有在施加有单向压力的面上使多个(111)面取向的独特的晶体各向异性。所述多晶MgO烧结体经由单向加压烧结粒径为1μm以下的MgO原料粉末的工序和其后在存在0.05体积％以上氧的气氛中，以1273K以上的温度热处理1分钟以上的工序而得到。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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