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一种纳米双相高熵合金薄膜及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110512506.0
  • IPC分类号:C23C14/16;C23C14/35;C22C30/02
  • 申请日期:
    2021-05-11
  • 申请人:
    西南交通大学
著录项信息
专利名称一种纳米双相高熵合金薄膜及其制备方法
申请号CN202110512506.0申请日期2021-05-11
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-10公开/公告号CN113235051A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/16IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;1;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;2;C;3;0;/;0;2查看分类表>
申请人西南交通大学申请人地址
四川省成都市二环路北一段 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西南交通大学当前权利人西南交通大学
发明人姜欣;李延涛;曾小康;刘茂;冷永祥
代理机构北京中索知识产权代理有限公司代理人唐亭
摘要
本发明公开了一种纳米双相高熵合金薄膜的制备方法,该制备方法包括基材前处理及高功率脉冲磁控溅射沉积两个步骤。采用高功率脉冲磁控溅射技术,以包括金属Cu在内的五种金属元素的拼接靶为靶材,以高纯Ar为工作气体,对前处理后的基体施加负偏压,对拼接靶施加靶电压,在基体表面沉积得到包含FCC基体相和富铜BCC纳米相的纳米双相高熵合金薄膜。该薄膜既体现了高熵合金薄膜高的固溶强化的特点,同时通过富铜相的析出引入大量相界面,使其具有界面强化机制。其硬度最高达13GPa,并且由于具有优异的韧性,对在高承载、高摩擦环境下作业的基体能起到良好的防护作用,具有很好的应用价值。

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