使等离子体-生成的离子偏转以防止离子到达EUV光源的内部元件的系统和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200680020424.8
IPC分类号：H01J49/40
申请日期：
2006-05-25
申请人：
西默股份有限公司

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著录项信息

专利名称	使等离子体-生成的离子偏转以防止离子到达EUV光源的内部元件的系统和方法
申请号	CN200680020424.8	申请日期	2006-05-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-06-04	公开/公告号	CN101194341
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J49/40 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J49/00 粒子分光仪或粒子分离管〔3〕 H01J49/26 质谱仪或质量分离管〔3〕 H01J49/34 动态分光仪〔3〕 H01J49/40 飞行时间型分光仪（H01J 49/36优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;J;4;9;/;4;0查看分类表>
申请人	西默股份有限公司	申请人地址	荷兰维德霍温变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	ASML,荷兰有限公司	当前权利人	ASML,荷兰有限公司
发明人	C·L·瑞迪格;J·R·霍夫曼;E·L·瓦加斯
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	李玲

摘要

一种用于保护EUV光源(20)的内部元件(30)免受在等离子体形成位置(28)上所产生且最初被引向内部元件(30)的离子(206a，206b)的影响的系统，所述系统包括：至少一个箔片(180)，插入在内部元件(30)和等离子体形成位置(28)之间，所述箔片具有一个基本上沿着从等离子体形成位置(28)到内部元件(30)延伸的线对准的表面(208a，208b)；以及磁源(200a，200b)，用于产生磁场(B2)以便于将离子(206a，206b)偏转到箔片表面(208a，208b)上。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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