一种在树脂基片使用磁控溅射制备ITO膜的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110295242.4
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/06
申请日期：
2011-09-30
申请人：
芜湖长信科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种在树脂基片使用磁控溅射制备ITO膜的方法
申请号	CN201110295242.4	申请日期	2011-09-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-01-11	公开/公告号	CN102312208A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6查看分类表>
申请人	芜湖长信科技股份有限公司	申请人地址	安徽省芜湖市经济技术开发区汽经二路以东变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	芜湖长信科技股份有限公司	当前权利人	芜湖长信科技股份有限公司
发明人	许沭华;夏大映;张兵;何晏兵;孔德兴;康傲飞
代理机构	芜湖安汇知识产权代理有限公司	代理人	张小虹

摘要

本发明公开了一种在树脂基片上使用磁控溅射制备ITO膜的方法，该方法具体步骤包括：a、将树脂基片放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空；b、将树脂基片运送至加热室，将基片加热至150～250℃；c、将加热后的树脂基片运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行ITO膜沉积，依ITO面电阻值的不同，溅射室内阴极直流电源输入功率为0.6KW～6KW；d、将镀膜完毕的基片运送至冷却室进行冷却；e、将冷却后的基片放入卸载室，卸片。该工艺方法可以在树脂基片上利用连续垂直式磁控溅射制备低电阻率、高质量的ITO膜，且所制备的ITO膜具有电阻均匀性好、电阻率低、高透过率、较好的化学稳定性等性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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