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有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810226096.8
  • IPC分类号:H01L27/32;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768
  • 申请日期:
    2008-11-06
  • 申请人:
    北京京东方光电科技有限公司
著录项信息
专利名称有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法
申请号CN200810226096.8申请日期2008-11-06
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-06-16公开/公告号CN101740605A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/32IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人北京京东方光电科技有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
发明人张弥
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司代理人韩国胜
摘要
本发明涉及一种有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法。有源矩阵有机发光二极管像素结构包括形成在基板上并限定了像素区域的第一栅线、信号线和电源线,所述像素区域内分别形成有作为寻址元件的第一薄膜晶体管、控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管、第一像素电极和第二像素电极,所述像素区域内还形成有作为第二薄膜晶体管栅电极的第二栅线,所述第二栅线与所述第一栅线同层设置且与所述第一像素电极连接。本发明通过在基板上设置第二栅线,且第二栅线与第一栅线在同一次构图工艺中完成,因此与现有技术九次构图工艺和顺序结构形式相比,使本发明不仅减少了工艺步骤,而且减少了像素结构的厚度。

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