芯片封装结构和封装方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811643404.7
IPC分类号：H01L23/31;H01L21/60;H01L23/488;H01L21/56
申请日期：
2018-12-29
申请人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	芯片封装结构和封装方法
申请号	CN201811643404.7	申请日期	2018-12-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-06-07	公开/公告号	CN109860125A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	当前权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人	孙鹏;任玉龙
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司	代理人	马永芬

摘要

本发明公开了一种芯片封装结构和封装方法，其中，封装结构，包括：芯片，正面具有第一焊盘区和第一氧化层区；半导体衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，第一表面具有与第一焊盘区对应贴合的第二焊盘区和与第一氧化层区对应贴合的第二氧化层区，第二表面具多个盲孔；引出层，设置在半导体衬底的第二表面上，通过盲孔与第二焊盘区电连接；封装层，设置在半导体衬底的第一表面，包封芯片和第一表面。在半导体衬底内形成凸块结构，实现引出层与焊盘区电连接，即凸块结构之间的填充物质相当于半导体衬底，可以避免现有技术中在凸块结构之间采用有机填料填充所带来的热膨胀系数差异的问题，提升了芯片封装的长期可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供