用于导电材料的蚀刻剂及薄膜晶体管阵列面板的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200510117515.0
IPC分类号：C23F1/16;H01L21/02
申请日期：
2005-11-02
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	用于导电材料的蚀刻剂及薄膜晶体管阵列面板的制造方法
申请号	CN200510117515.0	申请日期	2005-11-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2006-05-10	公开/公告号	CN1769528
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23F1/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23F 非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K 7/00；用激光束加工金属入B23K 26/00）；金属材料的缓蚀；一般防积垢（电解或电泳法处理金属表面或金属覆层入C25D，C25F）；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理〔4〕 C23F1/00 金属材料的化学法蚀刻〔2〕 C23F1/10 蚀刻用组合物（C23F 1/44优先）〔4〕 C23F1/14 含水组合物〔4〕 C23F1/16 酸性组合物（C23F 1/42优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;F;1;/;1;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星显示有限公司	当前权利人	三星显示有限公司
发明人	朴弘植;姜成昊;赵弘济
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	李伟

摘要

本发明提供了一种用于制造薄膜晶体管(TFT)阵列面板的方法，包括：在绝缘基片上形成具有栅电极的栅极线；在栅极线上顺序沉积栅极绝缘层及半导体层；在栅极绝缘层及半导体层上形成漏电极和具有源电极的数据线；并形成连接至漏电极的像素电极。这些元件可以使用含有65wt％至75wt％的磷酸、0.5wt％至15wt％的硝酸、2wt％至15wt％的醋酸、0.1wt％至8.0wt％的钾化合物、以及去离子水的蚀刻剂通过光蚀刻形成。TFT阵列面板的各个元件可以在类似的条件下形成有本发明的蚀刻剂的图样，这简化了制造工艺并节约了成本，并使得TFT元件具有良好的剖面。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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