一种对激光镀层进行处理的系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201210342365.3
IPC分类号：C25D5/00;C25D5/18;C23C18/31;C23C24/10;B23K26/00
申请日期：
2012-09-14
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种对激光镀层进行处理的系统
申请号	CN201210342365.3	申请日期	2012-09-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-02-13	公开/公告号	CN102925938A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D5/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D5/00 以工艺方法为特征的电镀；工件的预处理或后处理〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;5;/;0;0;;;C;2;5;D;5;/;1;8;;;C;2;3;C;1;8;/;3;1;;;C;2;3;C;2;4;/;1;0;;;B;2;3;K;2;6;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	林学春;杨盈莹;赵树森;于海娟
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种对激光镀层进行处理的系统，包括第一脉冲激光器(1)和第二脉冲激光器(2)、第一衰减器(3)和第二衰减器(4)、第一电子快门(5)和第二电子快门(6)、第一扩束镜(7)和第二扩束镜(8)、反射镜(9)、合束器(10)、CCD实时观察系统(11)、光学振镜(12)、聚焦物镜(13)、反射镜(14)，待处理样品基底(15)、电解池(16)、三维移动台(17)和延迟控制器(18)。本发明通过利用与待加工的材料的吸收特性匹配的脉冲和波长的激光束实现材料对激光热效应的充分吸收，取得理想的镀层处理结果。本发明适用于激光电镀、激光化学镀、激光刻蚀、激光微融覆的处理过程。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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