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一种下一代结构高效率晶体硅电池及制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110338024.4
  • IPC分类号:H01L31/0352;H01L31/04
  • 申请日期:
    2011-10-31
  • 申请人:
    北京中联科伟达技术股份有限公司
著录项信息
专利名称一种下一代结构高效率晶体硅电池及制作方法
申请号CN201110338024.4申请日期2011-10-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-03-21公开/公告号CN102386249A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0352IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4查看分类表>
申请人北京中联科伟达技术股份有限公司申请人地址
北京市朝阳区北苑路40号2号楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京吉阳技术股份有限公司当前权利人北京吉阳技术股份有限公司
发明人孙良欣;胡盛华
代理机构北京市商泰律师事务所代理人毛燕生
摘要
一种下一代结构高效率晶体硅电池及制作方法,属于晶体硅太阳能电池领域,含有以下步骤;氧化硅钝化步骤,是指在P型硅片的磷掺杂面形成一层氧化硅膜;氧化铝钝化步骤,是指在P型硅片的非掺杂面形成一层氧化铝膜;MWT(MetalWrapThrough)技术步骤,是指采用激光打孔,把电池片正面电极引到背面;新栅线形成步骤,是指采用电镀,溅射步骤。本发明有效结合了MWT,正面双层膜钝化,背面氧化铝钝化;并采用了新电池形成方案,如电镀,溅射等克服了对丝网印刷银浆的依赖,同时降低了由电极产生的电阻。能使P型单晶电池片效率提升到20%以上,P型多晶电池片效率提升到18%以上。

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