硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310012197.6
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0236;B82Y40/00
申请日期：
2013-01-14
申请人：
中国科学院高能物理研究所

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著录项信息

专利名称	硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法
申请号	CN201310012197.6	申请日期	2013-01-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-05-08	公开/公告号	CN103094415A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院高能物理研究所	申请人地址	北京市石景山区玉泉路19号乙变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院高能物理研究所	当前权利人	中国科学院高能物理研究所
发明人	刘静;伊福廷
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法，该方法包括：在硅片表面生长一层氯化铯薄膜；将表面具有氯化铯薄膜的硅片放入一定湿度的通气腔体内显影，在硅片表面形成氯化铯纳米圆岛结构；对表面具有氯化铯纳米圆岛结构的硅片进行等离子体刻蚀，将获得的氯化铯纳米圆岛结构转移成硅纳米柱状结构；采用热扩散的方法对硅纳米柱状结构进行三氯氧磷扩散，并控制扩散深度，形成体向或径向P-N结结构。利用本发明，具有低成本和较强的工艺适应性能，能够在不同硅表面上生长和完成。该纳米织构化P-N结结构可以有效地减小来自各个角度的入射光的反射，增加对入射光的吸收，提高太阳电池的光电转换效率。

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