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存储器结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010466393.0
IPC分类号：H01L27/11568;H01L27/11563
申请日期：
2020-05-28
申请人：
力晶积成电子制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	存储器结构及其制造方法
申请号	CN202010466393.0	申请日期	2020-05-28
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-09	公开/公告号	CN113629062A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11568 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11563 具有电荷俘获栅极绝缘层的，例如，MNOS，NROM〔2017.01〕 H01L27/11568 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11578）〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;3查看分类表>
申请人	力晶积成电子制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	力晶积成电子制造股份有限公司	当前权利人	力晶积成电子制造股份有限公司
发明人	徐震球;詹勋桂;薛凯安;黄铭德;姜俐岑;廖宏魁
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陈小雯

摘要

本发明公开一种存储器结构及其制造方法，其中该存储器结构包括基底、电荷存储层、第一栅极、第一介电层与第二介电层。基底包括存储单元区。电荷存储层位于存储单元区中的基底上。电荷存储层具有凹陷。电荷存储层在凹陷的周围具有尖端。第一栅极位于电荷存储层上。第一介电层位于电荷存储层与基底之间。第二介电层位于第一栅极与电荷存储层之间。

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