LED芯片及LED芯片制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010828812.0
IPC分类号：H01L33/40;H01L33/14
申请日期：
2020-08-18
申请人：
聚灿光电科技（宿迁）有限公司

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著录项信息

专利名称	LED芯片及LED芯片制造方法
申请号	CN202010828812.0	申请日期	2020-08-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-23	公开/公告号	CN111816743A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/40 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕 H01L33/40 相应的材料〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;0;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4查看分类表>
申请人	聚灿光电科技（宿迁）有限公司	申请人地址	江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	聚灿光电科技（宿迁）有限公司	当前权利人	聚灿光电科技（宿迁）有限公司
发明人	不公告发明人
代理机构	苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	沈晓敏

摘要

本发明提供一种LED芯片及LED芯片制造方法，LED芯片通过在电流阻挡层和透明导电层上分别设置第一通孔和第二通孔，以及覆于第一通孔和第二通孔内的金属粘附层，可以使P电极不直接设置在透明导电层和电流阻挡层上，而是通过金属粘附层分别与P电极和P型半导体层相连，从而在LED芯片打线流程中，能够分散打线时所带来的挤压力，使力直接作用在P型半导体层上，并通过金属粘附层加强P电极设置的牢固程度，以避免出现所述透明导电层和所述P电极碎裂脱落的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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