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一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510132576.4
  • IPC分类号:H01L21/673
  • 申请日期:
    2005-12-26
  • 申请人:
    北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
著录项信息
专利名称一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
申请号CN200510132576.4申请日期2005-12-26
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2007-07-04公开/公告号CN1992191
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/673IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;7;3查看分类表>
申请人北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司申请人地址
北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人有研半导体硅材料股份公司当前权利人有研半导体硅材料股份公司
发明人万关良;王喆;徐继平;张果虎;王敬;刘斌
代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司代理人郭佩兰
摘要
本发明提供了一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟,它包括固定片,舟脚棒,上料棒,下料棒,所述的下料棒为三个,其中,位于中间的下料棒开槽,槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度,该硅片的下边缘不能与棒槽的槽底相接触,下料位于两侧的支撑用下料棒的横断面的上部为平面,下部为弧型的料棒。本发明优点:由于下料棒开槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度,杜绝了下料棒开槽槽底加工难,避免了光洁度达不到要求而引起的崩边问题,提高产品质量及合格率,其不合格率下降了一点几个百分点。

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