具有大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810100562.8
IPC分类号：G01N21/65;B81C1/00
申请日期：
2008-05-12
申请人：
中国科学院合肥智能机械研究所

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著录项信息

专利名称	具有大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法
申请号	CN200810100562.8	申请日期	2008-05-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-10-08	公开/公告号	CN101281133
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/65 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/63 光学激发的〔3〕 G01N21/65 喇曼散射〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;6;5;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院合肥智能机械研究所	申请人地址	安徽省合肥市蜀山湖路350号1130信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院合肥物质科学研究院	当前权利人	中国科学院合肥物质科学研究院
发明人	赵爱武;梅涛;王大朋;倪林
代理机构	安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人	余成俊

摘要

本发明公开一种大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法，是先制备大面积硅微米柱阵列；采用纳米组装技术在所述的硅微米柱阵列上生长纳米棒，得到三维有序周期微纳结构阵列；再采用水热合成方法在三维有序周期微纳结构阵列内镶嵌不同形貌的金属纳米颗粒。本发明的SERS活性基底可以大面积至厘米级的均一化。本发明将SERS活性热粒子设计在三维有序微纳结构之上，集“天线”增强效应、金属/半导体交叉增强效应以及缝隙增强效应等于一身，具有高灵敏的SERS活性，并且SERS活性热粒子牢固嵌在树状微纳结构中，使之既适合痕量液相分析物SERS测试，也适合痕量气相分析物的SERS测试。

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