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提高超级结产品良率的工艺方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110372020.8
IPC分类号：H01L21/027;H01L21/336
申请日期：
2011-11-21
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	提高超级结产品良率的工艺方法
申请号	CN201110372020.8	申请日期	2011-11-21
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-05-29	公开/公告号	CN103123893A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	张帅;钟秋
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志

摘要

本发明公开了一种提高超级结产品良率的工艺方法，步骤一、根据超级结产品击穿电压的晶圆面内分布图确定晶圆内需要进行沟槽宽度补偿的区域和补偿数值；步骤二、根据得到的沟槽宽度补偿的区域和补偿数值，采用光刻工艺方法对需要沟槽宽度补偿的区域进行补偿。本发明能使晶圆面内击穿电压分布均一，进而提高产品的良率。

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