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极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711383701.8
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L21/329
  • 申请日期:
    2017-12-20
  • 申请人:
    中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
著录项信息
专利名称极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法
申请号CN201711383701.8申请日期2017-12-20
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-06-28公开/公告号CN109950323A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所当前权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人于国浩;陈扶;宋亮;郝荣晖;张宝顺
代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人王锋
摘要
本发明公开了一种极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括:包括第一、第二半导体的第一异质结,所述第一异质结构中形成有二维电子气;包括所述第二半导体和第三半导体的第二异质结,所述第二异质结中形成有二维空穴气;形成于所述第二半导体上的第四半导体,所述第四半导体与第三半导体在水平方向上紧密连接;所述第四半导体为p型掺杂,可以将所述第一异质结中的二维电子气耗尽;与第一异质结连接的阳极和阴极,所述阳、阴极与所述第一异质结中二维电子气电连接,所属阳极同时与第四半导体形成电连接。

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