IGBT老化状态检测系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201610368682.0
IPC分类号：G01R31/26;G01R19/00
申请日期：
2016-05-27
申请人：
重庆大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	IGBT老化状态检测系统
申请号	CN201610368682.0	申请日期	2016-05-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-30	公开/公告号	CN106168647A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;G;0;1;R;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人	重庆大学	申请人地址	重庆市沙坪坝区沙正街174号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆大学	当前权利人	重庆大学
发明人	周雒维;彭英舟;张晏铭;蔡杰;王凯宏;孙鹏菊;杜雄
代理机构	北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司	代理人	谢殿武

摘要

本发明提供的一种IGBT老化状态检测系统，包括测试电源、测试IGBT、可输出连续变化电流的可变驱动电路、导通驱动电路、采集单元以及上位主机；所述测试IGBT的发射极与待测IGBT的集电极连接，测试IGBT的集电极与测试电源的正极连接，测试电源的负极与待测IGBT的发射极连接，所述可变驱动电路的输出端与测试IGBT的栅极连接，导通驱动电路的输出端与待测IGBT的栅极连接，所述采集单元采集待测IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce以及集电极电流Ic并输出到上位主机；能够对于IGBT的集电极和发射极之间的压降Vce进行连续变化测量，从而能够准确判断IGBT的老化状态。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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