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薄膜电阻器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510781228.3
  • IPC分类号:H01C7/00;H01C17/075;H01C17/12;H01C17/14
  • 申请日期:
    2015-11-12
  • 申请人:
    广东风华高新科技股份有限公司
著录项信息
专利名称薄膜电阻器及其制备方法
申请号CN201510781228.3申请日期2015-11-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-02-24公开/公告号CN105355349A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01C7/00IPC分类号H;0;1;C;7;/;0;0;;;H;0;1;C;1;7;/;0;7;5;;;H;0;1;C;1;7;/;1;2;;;H;0;1;C;1;7;/;1;4查看分类表>
申请人广东风华高新科技股份有限公司申请人地址
广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东风华高新科技股份有限公司当前权利人广东风华高新科技股份有限公司
发明人李国贵;林伯流;范文新;杨泽明;林瑞芬;张远生;杨晓平
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人生启
摘要
本发明公开了一种薄膜电阻器及其制备方法。该薄膜电阻器包括绝缘基板,表面形成有两个相互间隔的表电极;电阻层,形成于所述绝缘基板的表面、与两个所述表电极连接且覆盖所述表电极的部分表面;薄膜介质层,覆盖所述电阻层的表面,所述薄膜介质层的材料为二氧化硅、氮化硅、钽硅合金、钛硅合金及铝硅合金中的至少一种;保护层,完全覆盖所述薄膜介质层的表面且延伸到所述绝缘基板及所述表电极的表面。这种薄膜电阻器的防潮性能较佳。

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