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可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN200720149143.4
  • IPC分类号:C23C14/35
  • 申请日期:
    2007-05-15
  • 申请人:
    北京京东方光电科技有限公司
著录项信息
专利名称可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶
申请号CN200720149143.4申请日期2007-05-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/35IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人北京京东方光电科技有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
发明人张允新
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司代理人刘芳
摘要
本实用新型涉及一种可提高靶材利用率,延长靶材使用寿命的磁控溅射靶,适用于物理气象沉积磁控溅射真空镀膜技术。所述磁控溅射靶包括靶材、靶背板、绝缘垫、靶阴极框架、阴极挡板,磁铁和导磁极靴调整垫,可移动的磁铁和导磁调整垫可调整靶材表面磁场的均匀性和等离子体的均匀性,使等离子体刻蚀靶材的速率降低,使靶材端部和中间部位被刻蚀之差减小,从而提高靶材利用率,大幅度降低生产产品的成本,节约生产资源,提高产品竞争力。

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