一种GaNLED外延结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202020024053.8
IPC分类号：H01L33/10;H01L33/02;H01L33/00
申请日期：
2020-01-06
申请人：
佛山市国星半导体技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种GaNLED外延结构
申请号	CN202020024053.8	申请日期	2020-01-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/10 具有一个光反射结构，例如半导体布拉格反射镜〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	佛山市国星半导体技术有限公司	申请人地址	广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佛山市国星半导体技术有限公司	当前权利人	佛山市国星半导体技术有限公司
发明人	仇美懿;庄家铭
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	胡枫;李素兰

摘要

本实用新型公开了一种GaN LED外延结构，所述外延结构包括衬底、设于衬底上的N型GaN层、设于N型GaN层上的有源层、设于有源层上的P型GaN层，还包括反射层，所述反射层设置在N型GaN层和有源层之间，或者/和设置在P型GaN层和有源层之间；所述反射层包括若干个周期的GaN层和InAlN层，所述InAlN层设置在所述GaN层上，所述InAlN层的折射率大于GaN层的折射率，所述GaN层的光学厚度大于InAlN层的光学厚度。本实用新型将反射层设置在外延结构内，有源层发出的光很快就被反射层进行反射，不需要经过很多层外延结构和衬底才可以进行反射，有效减少光的损失。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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