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一种基于傅里叶解析扩散角的功率模块热阻抗建模方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110312162.9
  • IPC分类号:G06F30/20;G06F119/08
  • 申请日期:
    2021-03-24
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称一种基于傅里叶解析扩散角的功率模块热阻抗建模方法
申请号CN202110312162.9申请日期2021-03-24
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-15公开/公告号CN112966391A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F30/20IPC分类号G;0;6;F;3;0;/;2;0;;;G;0;6;F;1;1;9;/;0;8查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人罗皓泽;陈宇;吴强;周宇;李成敏;李武华;何湘宁
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人郑海峰
摘要
本发明公开了一种基于傅里叶解析扩散角的功率模块热阻抗建模方法,具体包括以下步骤:S1、列写功率模块内各层竖轴热流密度的含待定系数的傅里叶级数表达式;S2、求解待定系数;S3、确定各芯片在功率模块各层的热扩散角;S4、确定各芯片在功率模块各层的自热阻与自热容;S5、求解芯片间在功率模块各层的耦合热阻与耦合热容;S6、构成七阶Cauer热网络,计算各芯片自热阻抗与耦合热阻抗的频域表达式;S7、矩阵求和与拉式反变换,获得不同工况条件下各芯片结温随时间变化的时域表达式。本发明引入傅里叶级数准确描述了横向热扩散效应,基于扩散角建立多芯片的热耦合模型,提高了现阶段热模型的准确性与通用性,特别适合功率半导体芯片温度的在线预测。

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