具有磁场增强装置的等离子体装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200720169925.4
IPC分类号：H05H1/10
申请日期：
2007-07-27
申请人：
北京印刷学院

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著录项信息

专利名称	具有磁场增强装置的等离子体装置
申请号	CN200720169925.4	申请日期	2007-07-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05H1/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05H 等离子体技术（离子束管入H01J 27/00；磁流体发电机入H02K 44/08；涉及生成等离子体的产生X射线的入H05G 2/00）；加速的带电粒子或中子的产生（从放射源获取中子的入G21，例如：G21B，G21C，G21G）；中性分子或原子射束的产生或加速（原子钟入G04F 5/14；受激发射器件入H01S；通过与由分子、原子或亚原子粒子的能级所确定的基准频率相比较而进行频率调整的入H03L 7/26） H05H1/00 等离子体的产生；等离子体的处理（等离子体技术在热核聚变反应器的应用入G21B 1/00） H05H1/02 用电场或磁场约束等离子体的装置；加热等离子体的装置（电子光学入H01J） H05H1/10 仅应用外加磁场的	IPC分类号	H;0;5;H;1;/;1;0查看分类表>
申请人	北京印刷学院	申请人地址	北京市大兴区黄村镇兴华北路25号北京印刷学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京印刷学院	当前权利人	北京印刷学院
发明人	陈强;张跃飞;付亚波;杨丽珍;孙运金
代理机构	北京同汇友专利事务所	代理人	高云瑞;杨宗润

摘要

具有磁场增强装置的等离子体装置属于等离子体应用技术领域，用于提高等离子体区内等离子体的密度；采用磁场增强装置，将等离子体约束在一定的磁场区域内；磁场增强装置为与电极结构配套的永久性磁体组成的磁块组合体(12)，引入磁场的强度为10～1000mT；在适宜基材连续卷绕工艺的等离子体化学气相沉积装置中，磁块组合体(12)，由与左、右转辊电极(2)、(3)相应的外、内磁块组合体(13)、(14)组成；有益效果，用于等离子体化学气相沉积，可于基材表面沉积聚合成纳米级厚的功能保护膜，致密度高，阻隔性好；用于大气放电装置，对物料改性处理及对物体表面改性处理；能提高等离子体的应用性能和效果，并且速度快。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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