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半导体组件制造系统及其热力补偿次系统

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410104161.1
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2004-12-30
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体组件制造系统及其热力补偿次系统
申请号CN200410104161.1申请日期2004-12-30
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2005-07-13公开/公告号CN1638031
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
台湾省新竹科学工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人吴学昌;张知天;陆志诚;陈炳宏;周梅生
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人李强
摘要
一种半导体组件制造系统,包括一制程腔室、一温度控制次系统以及一热力补偿次系统,其中温度控制次系统具有一制程次系统加热组件藉以产生一制程温度曲线。上述热力补偿次系统包括一温度传感器、一补偿热力控制单元以及一补偿加热组件,其中温度传感器用以侦测制程腔室温度曲线,而补偿热力控制单元用以计算制程温度曲线与一目标温度曲线间的差值,补偿加热组件则根据上述补偿热力控制单元所得的温度差值,而改变制程温度曲线。

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