用于直拉硅单晶生长的双层坩埚

发明专利无效专利

申请号：
CN201110407868.X
IPC分类号：C30B15/10
申请日期：
2011-12-09
申请人：
曾泽斌

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专利名称	用于直拉硅单晶生长的双层坩埚
申请号	CN201110407868.X	申请日期	2011-12-09
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-04-11	公开/公告号	CN102409396A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/10 承载熔融液的坩埚或容器〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;1;0查看分类表>
申请人	曾泽斌	申请人地址	浙江省杭州市西湖区求是村67栋1单元702 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	曾泽斌	当前权利人	曾泽斌
发明人	曾泽斌
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	张法高

摘要

本发明公开了一种用于直拉硅单晶生长的双层坩埚。它包括坩埚、坩埚内环、流液洞，坩埚内的中心设有坩埚内环，坩埚内环下端与坩埚底部接触处设有四个对称分布的流液洞，流液洞的直径为10～20mm，坩埚内环与坩埚同轴，坩埚和坩埚内环的壁厚为8～12mm，坩埚内环的外径d与坩埚的外径D之比为0.5～0.7，坩埚内环的高度h2与坩埚的高度h1之比为0.6～0.8。所述坩埚和坩埚内环的材料为石英玻璃、氮化硅陶瓷或碳化硅陶。本发明能够有效抑制硅单晶生长过程中硅熔体中的热对流，代替电磁场的作用，简单又节能。能有效降低石英坩埚的熔蚀速度，提高硅熔体表面中心区的温度稳定性，降低硅单晶中的氧浓度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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