光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610562638.3
IPC分类号：G03F7/11;G03F7/09;H01L21/027
申请日期：
2012-08-09
申请人：
三菱瓦斯化学株式会社

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专利名称	光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法
申请号	CN201610562638.3	申请日期	2012-08-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-09	公开/公告号	CN106094440A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/11 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/004 感光材料（G03F 7/12，G03F 7/14优先）〔5〕 G03F7/09 以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层（印刷版的基片层一般入B41N）〔5〕 G03F7/11 具有覆盖层或中间层的，例如，（使感光乳剂固着于片基的）胶层〔5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;1;1;;;G;0;3;F;7;/;0;9;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人	三菱瓦斯化学株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱瓦斯化学株式会社	当前权利人	三菱瓦斯化学株式会社
发明人	越后雅敏;东原豪;内山直哉
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;李茂家

摘要

提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法。一种下述通式(1)所示的化合物作为光刻用下层膜的应用，式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1各自独立地是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的链烯基或羟基，其中，R2的至少一个是羟基，m各自独立地是1～6的整数，n是1～4的整数。

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