基于相邻单元微扰的三频段高性能频率选择表面

发明专利无效专利

申请号：
CN200710156827.1
IPC分类号：H01P1/212
申请日期：
2007-11-12
申请人：
杭州电子科技大学

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专利名称	基于相邻单元微扰的三频段高性能频率选择表面
申请号	CN200710156827.1	申请日期	2007-11-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-04-30	公开/公告号	CN101170207
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P1/212 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P1/00 辅助器件（波导型耦合器件入H01P 5/00） H01P1/20 选频器件，例如滤波器 H01P1/212 抑制或衰减谐波频率的（H01P 1/215优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;P;1;/;2;1;2查看分类表>
申请人	杭州电子科技大学	申请人地址	浙江省杭州市江干区下沙高教园区2号大街变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州电子科技大学	当前权利人	杭州电子科技大学
发明人	罗国清;孙玲玲
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	张法高

摘要

本发明涉及一种基于相邻单元微扰的三频段高性能频率选择表面。传统频率选择表面选择性低、性能稳定性差、体积大。本发明在介质基片的两面镀有金属层，贯穿整个介质基片开有排列为多组不同大小正方形的金属化通孔，形成多组相邻高频、低频基片集成波导腔体。对应腔体内的上、下金属层蚀刻相同的高频、低频正方环形缝隙；与普通的由两种不同尺寸的周期性贴片或者缝隙构成的双频带频率选择表面相比，由于新结构引入了腔体谐振模式，实现了通带的单边陡降特性，大大提高了通带的选择特性，同时可以很方便的实现具有超窄频率间隔的多通带频率选择表面，而且其性能对于入射波的角度和极化性的稳定性好。

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