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半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610030780.3
  • IPC分类号:H01L27/02;H01L21/762;H01L21/768
  • 申请日期:
    2016-01-18
  • 申请人:
    新唐科技股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法
申请号CN201610030780.3申请日期2016-01-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-05-31公开/公告号CN106783838A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人新唐科技股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人新唐科技股份有限公司当前权利人新唐科技股份有限公司
发明人邹安莉;曾玮豪
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人汤在彦
摘要
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:基板;第二导电型外延层,设于基板上;第一导电型外延层,设于第二导电型外延层上;第二导电型埋藏层,设于第二导电型外延层中;第一隔离沟槽、第二隔离沟槽及第三隔离沟槽,其中第一隔离沟槽与第二隔离沟槽之间的区域为第一隔离区,第二隔离沟槽与第三隔离沟槽之间的区域为第二隔离区;第一导电型第一重掺杂区,设于第一隔离区中的第二导电型外延层中;以及第二导电型第一重掺杂区,设于第二隔离区中的第一导电型外延层中。

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