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一种高孔径比衬底穿孔结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202020255749.1
  • IPC分类号:H01L23/522;H01L21/768
  • 申请日期:
    2020-03-05
  • 申请人:
    上海芯波电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种高孔径比衬底穿孔结构
申请号CN202020255749.1申请日期2020-03-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/522IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人上海芯波电子科技有限公司申请人地址
上海市浦东新区盛夏路608号2号楼210-211室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海芯波电子科技有限公司当前权利人上海芯波电子科技有限公司
发明人陈立均;代文亮;李苏萍
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型公开了一种高孔径比衬底穿孔结构,包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层,所述晶圆块表面刻制第一金属孔,晶圆块上表面刻制电容下极板,并在电容下极板表面设置第一隔离介质层,第一隔离介质层上刻制第一通孔,第一通孔连通至电容下极板,并在第一隔离介质层上刻制电容上极板,晶圆块下表面刻制第二金属孔,晶圆块下表面刻制背面金属走线并在背面金属走线上刻制第三隔离介质层,本实用新型优化了衬底通孔的工艺流程,创新性的在衬底两面进行通孔工艺,形成更高孔径比的衬底通孔,以满足各类高性能器件设计的特殊需求。

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