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一种低温升复合接地体及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410583637.8
IPC分类号：H01R4/66;H01R43/00
申请日期：
2014-10-27
申请人：
武汉大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种低温升复合接地体及其制备方法
申请号	CN201410583637.8	申请日期	2014-10-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-01-07	公开/公告号	CN104269664A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01R4/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01R 导电连接；一组相互绝缘的电连接元件的结构组合；连接装置；集电器（开关，熔断器入H01H；波导型耦合装置入H01P 5/00；供电或配电切换装置入H02B；电线或电缆、光电电线或电缆或电气辅助设备的安装入H02G；与印刷电路电连接或印刷电路之间电连接用的印制装置入H05K） H01R4/00 两个或两个以上导电部件之间直接接触（即互相接触）的导电连接；用于实现或维持该连接的装置；具有用于导体的两个或两个以上分开连接位置并使用贯穿绝缘接触部件的导电连接（连接装置的触点零部件入H01R13/00；连接装置入H01R12/70，H01R24/00至H01R33/00；可弯曲的或可转动的线路连接器入H01R35/00；非旋转集电器入H01R41/00）〔3，2006.01〕 H01R4/58 按接触件的形状或材料区分的（H01R 4/01优先）〔3，7〕 H01R4/66 与地球物质的连接，例如接地板、接地棒〔3〕	IPC分类号	H;0;1;R;4;/;6;6;;;H;0;1;R;4;3;/;0;0查看分类表>
申请人	武汉大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉大学	当前权利人	武汉大学
发明人	阮江军;胡元潮;龚若涵;文武;周军
代理机构	武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	温珊姗

摘要

一种低温升复合接地体及其制备方法，所述接地体包括外层石墨线编织层和平行设置的多根内芯石墨线，所述外层石墨线和/或内芯石墨线为金属复合石墨线，所述金属复合石墨线内的金属丝的截面面积之和与被替换的金属接地体的截面面积相等。其优点是：按照本发明方法制备而成的复合接地体具有高电导率、与土壤接触紧密、低温升等特点，特别是通雷电流或短路大电流时优势明显。

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