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一种纳米硅镁蓄电池

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610205536.6
  • IPC分类号:H01M10/08
  • 申请日期:
    2016-04-05
  • 申请人:
    吴高翔
著录项信息
专利名称一种纳米硅镁蓄电池
申请号CN201610205536.6申请日期2016-04-05
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2016-06-22公开/公告号CN105703017A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M10/08IPC分类号H;0;1;M;1;0;/;0;8查看分类表>
申请人吴高翔申请人地址
四川省德阳市广汉市雒城镇桂林路一段44号1栋2单元201室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人吴高翔,李卫宇当前权利人吴高翔,李卫宇
发明人李卫宇;吴高翔;唐满平;梁丽;黄俊富
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人温旭
摘要
本发明公开了一种纳米硅镁蓄电池,包括密封式的电池主体,所述电池主体上安装有铅钙锡合金栅极,电池主体内装有纳米硅镁电解液,该纳米硅镁电解液包括以下组分,25‑29质量份的纳米二氧化硅、8‑12质量份的二氧化镁、8‑12质量份的三氧化二铝、28‑32质量份的纯水以及18‑22质量份浓度为9mol/L的稀硫酸。这种纳米硅镁蓄电池采用纳米硅镁电解液,在化学反应中硫酸中的氧被还原,水没有被消耗,消耗的是酸根离子,电池的生产及使用中不会产生酸雾,废旧的电池呈微酸性可以回收处理,方法简单,对环境没有污染;可重复添加纳米硅镁电解液,具有长的使用寿命,使用更方便。

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