一种垂直腔面发射激光芯片及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811267430.4
IPC分类号：H01S5/183
申请日期：
2018-10-29
申请人：
厦门乾照半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种垂直腔面发射激光芯片及其制作方法
申请号	CN201811267430.4	申请日期	2018-10-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-12-25	公开/公告号	CN109088311A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3查看分类表>
申请人	厦门乾照半导体科技有限公司	申请人地址	福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门乾照半导体科技有限公司	当前权利人	厦门乾照半导体科技有限公司
发明人	彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王宝筠

摘要

本发明提供了一种垂直腔面发射激光芯片及其制作方法，包括衬底、依次位于衬底第一表面的N型DBR层、第一氧化层、MQW层、第二氧化层和P型DBR层；第一氧化层包括位于中心的第一未氧化区和位于第一未氧化区四周的第一氧化区；第二氧化层包括位于中心的第二未氧化区和位于第二未氧化区四周的第二氧化区；其中，第一氧化区和第二氧化区不导电，且第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积。由于第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积，因此，使得电流在第二未氧化区横向扩展，从而使得电流从第二未氧化区均匀流向第一未氧化区，进而增大了靠近VCSEL芯片中心区域的电流密度，减小了VCSEL芯片的半波宽。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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