基于集成硅光子的光源

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120408105.6
IPC分类号：H01S5/026;G02B6/42
申请日期：
2021-02-24
申请人：
颖飞公司

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著录项信息

专利名称	基于集成硅光子的光源
申请号	CN202120408105.6	申请日期	2021-02-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/026 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/02 基本上不涉及激光作用的结构零件或组件〔7〕 H01S5/026 单块集成组件，例如波导、监测激励器（输出稳定入H01S 5/06）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;2;6;;;G;0;2;B;6;/;4;2查看分类表>
申请人	颖飞公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	颖飞公司	当前权利人	颖飞公司
发明人	何晓光;拉德哈克里什南·L·纳贾拉詹
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	酆迅

摘要

一种基于集成硅光子的光源，包括硅衬底的管芯，该管芯具有至少一个芯片位点，该芯片位点配置有表面区、沟槽区和第一截断区，该第一截断区分离地位于表面区和沟槽区之间。该沟槽区被配置为深度低于表面区。该光源包括激光二极管芯片，该二极管芯片具有面向芯片位点的p侧和远离该芯片位点的n侧。该p侧包括键合到沟槽区的增益区、键合到表面区的电极区、以及与截断区接合以将增益区与电极区隔离的隔离区。该光源还包括在管芯中的导体层，该导体层被配置为将增益区连接到阳极电极并将电极区分离地连接到阴极电极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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