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具有改进的侧壁反射结构的侧光发光二极管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610095759.8
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L23/495;H01L23/31
  • 申请日期:
    2006-07-04
  • 申请人:
    三星电机株式会社
著录项信息
专利名称具有改进的侧壁反射结构的侧光发光二极管
申请号CN200610095759.8申请日期2006-07-04
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2007-01-10公开/公告号CN1893130
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人三星电机株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人金洪敏
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人郭鸿禧;冯敏
摘要
本发明提供了一种具有向侧面开放的LED窗口以向侧面发光的侧光LED。一对引线框架各用作接线端。LED芯片附于引线框架的一部分上并电连接到引线框架。封装体容纳引线框架并具有在LED芯片周围形成的凹陷。此外,高反射金属层被整体地形成在凹陷的壁上。在形成LED窗口的同时,透明密封剂被填充在凹陷中以密封LED芯片。另外,绝缘层被形成在引线框架的预定区域上,使得引线框架与高反射金属层绝缘。本发明的侧光LED以改进的侧壁反射结构提高了光效率和散热效率。

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