一种基于平面图案化高分子刷的无机二维纳米材料的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010595499.0
IPC分类号：C23C18/16;C23C18/44;C01G49/08;B82Y40/00;B82Y30/00;C08F292/00;C08F220/06;C08F220/14;C08F293/00;C08F220/34;C08F212/08;C08F226/10;C08F220/18
申请日期：
2020-06-28
申请人：
华南理工大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种基于平面图案化高分子刷的无机二维纳米材料的制备方法
申请号	CN202010595499.0	申请日期	2020-06-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-03	公开/公告号	CN111876757A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C18/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C18/00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆）；接触镀〔4，2006.01〕 C23C18/16 还原法或置换法，例如无电流镀（C23C 18/54优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;8;/;1;6;;;C;2;3;C;1;8;/;4;4;;;C;0;1;G;4;9;/;0;8;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;C;0;8;F;2;9;2;/;0;0;;;C;0;8;F;2;2;0;/;0;6;;;C;0;8;F;2;2;0;/;1;4;;;C;0;8;F;2;9;3;/;0;0;;;C;0;8;F;2;2;0;/;3;4;;;C;0;8;F;2;1;2;/;0;8;;;C;0;8;F;2;2;6;/;1;0;;;C;0;8;F;2;2;0;/;1;8查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	岳衎;刘沛江;陈雨桐
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	殷妹

摘要

本发明公开了一种基于平面图案化高分子刷的无机二维纳米材料的制备方法。所述方法包括以下步骤：(1)在光滑平面基底上接ATRP引发剂，然后再通过光诱导SI‑ATRP和光掩板图案化处理相结合的方法，在基底表面生长图案化的双嵌段共聚物刷；(2)将图案化高分子刷泡入多种无机纳米前驱体溶液中0.5‑240小时，通过配位作用和静电作用将无机前驱体选择性装载至嵌段高分子刷的内层特定嵌段层；(3)最后通过原位反应在基底表面制备多种无机二维纳米材料。该方法能够在介观尺度上精确控制材料的尺寸和形貌，并且可以一次加工成型，能适用于制备多种无机二维材料。所制备的无机二维纳米材料可广泛应用于能源、催化、电子和电器领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供