阵列基板及其制造方法和有源显示器

发明专利有效专利

申请号：
CN201010540705.4
IPC分类号：H01L21/77;H01L27/12;G02F1/167;G02F1/1362;G02F1/1334;G02F1/1333
申请日期：
2010-11-10
申请人：
京东方科技集团股份有限公司

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著录项信息

专利名称	阵列基板及其制造方法和有源显示器
申请号	CN201010540705.4	申请日期	2010-11-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-23	公开/公告号	CN102468231A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/77 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;G;0;2;F;1;/;1;6;7;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;4;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;3查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司
发明人	李文波;王刚;张卓;武延兵
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	许静

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和有源显示器，该方法包括：在第一衬底基板上依次形成栅金属薄膜、栅绝缘层和有源层薄膜；在有源层薄膜上涂覆光刻胶，曝光显影；刻蚀掉光刻胶完全去除区域对应的栅金属薄膜、栅绝缘层和有源层薄膜，形成包括栅线和栅电极的图案；刻蚀掉光刻胶部分保留区域对应的栅绝缘层和有源层薄膜，形成包括栅线和公共电极线的图案；在形成上述图案的第一衬底基板上形成第一绝缘层薄膜；将光刻胶完全保留区域的光刻胶及其上的第一绝缘层薄膜剥离；接着形成源电极、漏电极、数据线、像素电极、有源层沟道及钝化层。本发明简化阵列基板的制备流程，降低制造成本。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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