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一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120033136.4
  • IPC分类号:G05F3/26
  • 申请日期:
    2011-01-31
  • 申请人:
    成都瑞芯电子有限公司
著录项信息
专利名称一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源
申请号CN201120033136.4申请日期2011-01-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F3/26IPC分类号G;0;5;F;3;/;2;6查看分类表>
申请人成都瑞芯电子有限公司申请人地址
四川省成都市成都高新区世纪城南路216号天府软件园D区6号楼14层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都瑞芯电子有限公司当前权利人成都瑞芯电子有限公司
发明人林秀龙;刘中伟
代理机构成都行之专利代理事务所(普通合伙)代理人梁田
摘要
本实用新型公布了一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源,包括依次连接的自偏置电路(1)、第一级预调整电路(2)、第二级预调整电路(3)、带隙基准核心电路(4)、信号反馈电路(5)。本实用新型采用了自偏置电流镜结构的自偏置电路,电路就可以自启动,而不再需要额外的启动电路;将第二级预调整电路的输出直接作为基准电压输出并同时给带隙基准核心电路供电,这样的连接方式可以提高基准电压的带载能力;采用了无运放反馈环路调节,与传统基准电压源电路相比,减少了一个进行钳位的运放,节省了面积,减小了静态功耗;输出基准电压的电源抑制比比传统的带隙基准电压源电路有很大提高,特别是在高频下的特性。

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