一种半导体制程红外监测装置

1.一种半导体制程红外监测装置，其特征在于，包括硅衬底(5)，所述硅衬底(5)上表面中间铺设有CMO读出电路(6)，CMO读出电路(6)顶部固定连接有铝镜(7)，硅衬底(5)上表面左后端固定连接有支撑柱(9)，硅衬底(5)上表面右前端固定连接有支撑柱(9)，支撑柱(9)顶部固定连接有支撑悬臂(8)，两个所述支撑悬臂(8)之间固定连接有牺牲层(4)，CMO读出电路(6)左端固定连接有引线(3)，引线(3)左端固定连接有控制器(1)，控制器(1)正面上方安装有显示屏(2)，CMO读出电路(6)包括多个基本元结构，基本元结构包括输入端(11)和输出端(12)，输入端(11)分别接入PMOS管电路(10)和NMOS管电路(13)，输出端(12)分别接入漏极(14)和源极(15)，漏极(14)处电压为VDD，源极(15)处电压为Vss，输入端(11)左端安装有传感材料。
2.根据权利要求1所述的一种半导体制程红外监测装置，其特征在于：所述控制器(1)包括输入变换器，输入变换器输送基带信号进入发射设备，发射设备发射已调信号到信道，信道传送已调信号到接受设备，接受设备输出信号。
3.根据权利要求1所述的一种半导体制程红外监测装置，其特征在于：所述输入端(11)输入高电平，PMOS管电路(10)截止，NMOS管电路(13)导通，输出端(12)输出电平与Vss一致。
4.根据权利要求1所述的一种半导体制程红外监测装置，其特征在于：所述输入端(11)输入低电平，PMOS管电路(10)导通，NMOS管电路(13)截止，输出端(12)输出电平与VDD一致。
5.根据权利要求1所述的一种半导体制程红外监测装置，其特征在于：所述支撑悬臂(8)仅端部与牺牲层(4)接触，支撑悬臂(8)呈中心对称分布在牺牲层(4)的前后两侧。
6.根据权利要求1所述的一种半导体制程红外监测装置，其特征在于：所述牺牲层(4)与CMO读出电路(6)和铝镜(7)均平行设置。
7.根据权利要求1所述的一种半导体制程红外监测装置，其特征在于：所述控制器(1)正面下方安装有若干个控制按钮。

一种半导体制程红外监测装置\n技术领域\n[0001] 本实用新型涉及隐形雷射切割领域，具体是涉及一种半导体制程红外监测装置。\n背景技术\n[0002] 在半导体芯片表面上通过雷射切割打在基板内部，形成集成电路。隐形雷射切割过程中，需及时及时侦测雷射切痕深度，当雷射打在基板内部时，由于刀痕在基板内部，无法像传统刀痕检测可以由外部侦测，进而难以实时检测雷射切割时的刀痕稳定度，难以控管质量，切割制程的良率和稳定度得不到保证。\n[0003] 为解决上述问题，有必要提供一种半导体制程红外监测装置。\n实用新型内容\n[0004] 为解决上述技术问题，提供一种半导体制程红外监测装置，本技术方案解决了上述背景技术中提出的隐形雷射切割过程中，需及时及时侦测雷射切痕深度，当雷射打在基板内部时，由于刀痕在基板内部，无法像传统刀痕检测可以由外部侦测，进而难以实时检测雷射切割时的刀痕稳定度，难以控管质量，切割制程的良率和稳定度得不到保证的问题。\n[0005] 为达到以上目的，本实用新型采用的技术方案为：\n[0006] 一种半导体制程红外监测装置，包括硅衬底，所述硅衬底上表面中间铺设有CMO读出电路，CMO读出电路顶部固定连接有铝镜，硅衬底上表面左后端固定连接有支撑柱，硅衬底上表面右前端固定连接有支撑柱，支撑柱顶部固定连接有支撑悬臂，两个所述支撑悬臂之间固定连接有牺牲层，CMO读出电路左端固定连接有引线，引线左端固定连接有控制器，控制器正面上方安装有显示屏，CMO读出电路包括多个基本元结构，基本元结构包括输入端和输出端，输入端分别接入PMOS管电路和NMOS管电路，输出端分别接入漏极和源极，漏极处电压为VDD，源极处电压为Vss，输入端左端安装有传感材料。\n[0007] 优选的，所述控制器包括输入变换器，输入变换器输送基带信号进入发射设备，发射设备发射已调信号到信道，信道传送已调信号到接受设备，接受设备输出信号。\n[0008] 优选的，所述输入端输入高电平，PMOS管电路截止，NMOS管电路导通，输出端输出电平与Vss一致。\n[0009] 优选的，所述输入端输入低电平，PMOS管电路导通，NMOS管电路截止，输出端输出电平与VDD一致。\n[0010] 优选的，所述支撑悬臂仅端部与牺牲层接触，支撑悬臂呈中心对称分布在牺牲层的前后两侧。\n[0011] 优选的，所述牺牲层与CMO读出电路和铝镜均平行设置。\n[0012] 优选的，所述控制器正面下方安装有若干个控制按钮。\n[0013] 与现有技术相比，本实用新型提供了一种半导体制程红外监测装置，具备以下有益效果：\n[0014] 通过设置CMO读出电路，CMO读出电路多个基本元，基本元内部包含PMOS管电路和NMOS管电路，通过PMOS管电路和NMOS管电路可以对传感材料由不同热辐射触发的电平进行识别，PMOS管电路和NMOS管电路会根据电平截止或导通，从而输出不同的电平，因此，可以从外部反映出雷射切痕深度，利用热侦测机制随时侦测反应在基板内部的热量与能量变化，如此可以监控雷射切痕质量与切割过程的完成效益，不需要进入基板的内部，可以实时检测雷射切割时的刀痕稳定度，控管质量，保证切割制程的良率和稳定度，并且在热侦测机制上导入一个控制器，可以及时将所得到的数据显示在显示屏。\n附图说明\n[0015] 图1为本实用新型的正面立体结构示意图；\n[0016] 图2为本实用新型的CMO读出电路基本元结构示意图；\n[0017] 图3为本实用新型的控制器内部模块示意图。\n[0018] 图中标号为：\n[0019] 1、控制器；2、显示屏；3、引线；4、牺牲层；5、硅衬底；6、CMO读出电路；7、铝镜；8、支撑悬臂；9、支撑柱；10、PMOS管电路；11、输入端；12、输出端；13、NMOS管电路；14、漏极；15、源极。\n具体实施方式\n[0020] 以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。\n[0021] 参照图1‑3所示，一种半导体制程红外监测装置，包括硅衬底5，所述硅衬底5上表面中间铺设有CMO读出电路6，CMO读出电路6顶部固定连接有铝镜7，硅衬底5上表面左后端固定连接有支撑柱9，硅衬底5上表面右前端固定连接有支撑柱9，支撑柱9顶部固定连接有支撑悬臂8，两个所述支撑悬臂8之间固定连接有牺牲层4，CMO读出电路6左端固定连接有引线3，引线3左端固定连接有控制器1，控制器1正面上方安装有显示屏2，CMO读出电路6包括多个基本元结构，基本元结构包括输入端11和输出端12，输入端11分别接入PMOS管电路10和NMOS管电路13，输出端12分别接入漏极14和源极15，漏极14处电压为VDD，源极15处电压为Vss，输入端11左端安装有传感材料；\n[0022] 参照图1，半导体切割时，切割的粒子的热辐射垂直穿过牺牲层4，牺牲层4对CMO读出电路6起到保护作用，切割处的热辐射会强烈一些，非切割处的热辐射会弱一些；\n[0023] 参照图2，热辐射打在CMO读出电路6的基本元结构，多个基本元结构共同组成CMO读出电路6，基本元结构中的传感材料会根据热辐射的强弱不同发出不同的电平，输入端11输入高电平，PMOS管电路10截止，NMOS管电路13导通，输出端12输出电平与Vss一致，输入端\n11输入低电平，PMOS管电路10导通，NMOS管电路13截止，输出端12输出电平与VDD一致，因此多个基本元结构会根据热辐射的强弱，输出不同的电平，从而将热辐射进行区分，其实就是区分切割和非切割区域；\n[0024] 参照图1和图3，控制器1将接受的不同高低的电平信号进行处理，并且显示在显示屏2上，即能反应出切割在基板内的深度。\n[0025] 具体的，控制器1包括输入变换器，输入变换器输送基带信号进入发射设备，发射设备发射已调信号到信道，信道传送已调信号到接受设备，接受设备输出信号。\n[0026] 支撑悬臂8仅端部与牺牲层4接触，支撑悬臂8呈中心对称分布在牺牲层4的前后两侧，牺牲层4与CMO读出电路6和铝镜7均平行设置，控制器1正面下方安装有若干个控制按钮。\n[0027] 本实用新型的工作原理及使用流程：通过设置CMO读出电路6，CMO读出电路6多个基本元，基本元内部包含PMOS管电路10和NMOS管电路13，通过PMOS管电路10和NMOS管电路\n13可以对传感材料由不同热辐射触发的电平进行识别，PMOS管电路10和NMOS管电路13会根据电平截止或导通，从而输出不同的电平，因此，可以从外部反映出雷射切痕深度，利用热侦测机制随时侦测反应在基板内部的热量与能量变化，如此可以监控雷射切痕质量与切割过程的完成效益，不需要进入基板的内部，可以实时检测雷射切割时的刀痕稳定度，控管质量，保证切割制程的良率和稳定度，并且在热侦测机制上导入一个控制器1，可以及时将所得到的数据显示在显示屏2。\n[0028] 以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

暂无