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低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810137597.9
  • IPC分类号:C04B35/58
  • 申请日期:
    2008-11-21
  • 申请人:
    哈尔滨工业大学
著录项信息
专利名称低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法
申请号CN200810137597.9申请日期2008-11-21
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-04-29公开/公告号CN101417880
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/58IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;8查看分类表>
申请人哈尔滨工业大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨工业大学当前权利人哈尔滨工业大学
发明人张幸红;韩杰才;孟松鹤;徐林;韩文波;胡平
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人韩末洙
摘要
低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法,它涉及一种硼化物基陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料烧结温度及压力过高、烧结致密度低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料由硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂制成;添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末。本发明的方法如下:一、将硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂混合;二、再放入无水乙醇中进行超声波清洗分散,球磨混合,烘干;三、热压烧结后冷却即可。本发明在1800~1850℃、30MPa下烧结所获得低温烧结硼化物基陶瓷材料的组织均匀、致密,且晶粒度细小,同时力学性能优良,相对密度为96%以上,强度和韧性分别高达786MPa和7.12MPam1/2。本发明方法的工艺简单实用,成本低廉、易于推广。

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