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实现超高消光比系数的金光栅及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010545103.1
  • IPC分类号:G02B5/18
  • 申请日期:
    2020-06-16
  • 申请人:
    复旦大学
著录项信息
专利名称实现超高消光比系数的金光栅及其制备方法
申请号CN202010545103.1申请日期2020-06-16
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-10-13公开/公告号CN111766654A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B5/18IPC分类号G;0;2;B;5;/;1;8查看分类表>
申请人复旦大学申请人地址
上海市杨浦区邯郸路220号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人复旦大学当前权利人复旦大学
发明人陈宜方;杨宗耀;朱静远
代理机构上海正旦专利代理有限公司代理人陆飞;陆尤
摘要
本发明属于光栅技术领域,具体为一种实现超高消光比系数的金光栅及其制备方法。本发明方法包括:在双抛硅衬底上生长铬/金电镀种子层;在硅衬底上旋涂厚度1‑1.8微米的PMMA正性光刻胶;利用Tracer软件中的蒙地卡罗模型计算空间电荷分布,采用LAB软件计算大高宽比光刻胶剖面形貌;采用曝光图案增添加强筋的方法保证光刻胶垂直性和完整性;利用电子束光刻机实施曝光;进行显影,然后用IPA漂洗,获得光刻胶光栅结构;以光刻胶为掩膜,进行纳米电镀金,得到金光栅。该金光栅在200纳米的周期下拥有8:1至18:1的大高宽比,占空比为0.3‑0.7,可以作为在近红外波段对电磁波的偏振起偏器,其起偏消光系数上最大可达1014:1。

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