一种MEMS直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710916278.7
IPC分类号：G01P15/12
申请日期：
2017-09-30
申请人：
西安交通大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种MEMS直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法
申请号	CN201710916278.7	申请日期	2017-09-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-20	公开/公告号	CN107817364A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01P15/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01P 线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量；运动的存在或不存在的指示；运动的方向的指示（利用陀螺效应测量角速率入G01C 19/00；用于测量两个或多个运动变量的组合测量设备入G01C 23/00；声速测量入G01H 5/00；光速测量入G01J 7/00；通过无线电波或其他波的反射或再辐射，且基于传播效应（例如多普勒效应）、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S；核辐射速度的测量入G01T） G01P15/00 测量加速度；测量减速度；测量冲击即加速度的突变 G01P15/02 利用惯性力（G01P 15/14优先）〔1，7，2013.01〕 G01P15/08 用变换成电或磁量 G01P15/12 应用电阻值的改变	IPC分类号	G;0;1;P;1;5;/;1;2查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市碑林区咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	赵立波;于明智;蒋维乐;贾琛;李支康;王久洪;赵玉龙;蒋庄德
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	徐文权

摘要

本发明公开了一种MEMS直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法，加速度计芯片采用SOI硅片制造，由四个相同的传感器子单元绕芯片中心旋转布置而成，每个子单元包括质量块、支撑梁、敏感梁、铰链梁、导线和焊盘，质量块通过支撑梁与芯片外框连接，两质量块通过铰链梁连接，两根敏感梁对称分布于铰链梁两侧，导线与焊盘连接组成半开环惠斯通全桥电路；芯片外框键合于底层玻璃板上。一组传感器子单元为一组测量x方向的加速度，另一组测量y方向的加速度。该加速度计芯片能够实现100g以下两轴加速度的分离测量，其固有频率大于25kHz，在无放大条件下灵敏度大于0.9mV/g/3V，具有良好的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供