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P型超结横向双扩散金属氧化物半导体管

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201020673904.8
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06
  • 申请日期:
    2010-12-22
  • 申请人:
    东南大学
著录项信息
专利名称P型超结横向双扩散金属氧化物半导体管
申请号CN201020673904.8申请日期2010-12-22
法律状态放弃专利权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人东南大学申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东南大学当前权利人东南大学
发明人时龙兴;华国环;朱奎英;李明;钱钦松;孙伟锋;陆生礼
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司代理人汤志武
摘要
一种P型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管,包括N型衬底,在N型衬底上设有超结结构及N型体区,超结结构由P型外延层和镶嵌在其中的N型半导体区构成,在N型体区上设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层,超结结构上设有P型漏区,超结结构上方且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层,栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅自栅氧化层上方延伸至第一型场氧化层上方,P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层,P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有源极金属引线、栅极金属引线和漏极金属引线,且超结结构中的N型半导体区的深度沿从P型源区到P型漏区的方向上线性变小。

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