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用于高效析氧反应的优化电子构型Co4N纳米片的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110011136.2
  • IPC分类号:C01B21/06;B82Y40/00;C25B1/04;C25B11/075
  • 申请日期:
    2021-01-06
  • 申请人:
    西南科技大学
著录项信息
专利名称用于高效析氧反应的优化电子构型Co4N纳米片的制备方法
申请号CN202110011136.2申请日期2021-01-06
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-07公开/公告号CN112758902A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B21/06IPC分类号C;0;1;B;2;1;/;0;6;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;C;2;5;B;1;/;0;4;;;C;2;5;B;1;1;/;0;7;5查看分类表>
申请人西南科技大学申请人地址
四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西南科技大学当前权利人西南科技大学
发明人何嵘;刘欢欢;雷佳;竹文坤;董云;周莉;温逢春;陈佳丽;李烨
代理机构北京远大卓悦知识产权代理有限公司代理人张忠庆
摘要
本发明公开了一种用于高效析氧反应的优化电子构型Co4N纳米片的制备方法,包括:合成Co(CO3)0.5(OH)·0.11H2O纳米片前驱体;合成Co3O4纳米片前驱体:将Co(CO3)0.5(OH)·0.11H2O纳米片前驱体在空气气氛下煅烧,冷却至室温,得到Co3O4前驱体;合成Co4N纳米片:在氨气气氛下煅烧Co3O4前驱体,得到Co4N纳米片;调控Co4N纳米片的电子构型:通过在氩氢混合气氛下煅烧Co4N纳米片来调节Co4N纳米片的氮含量,从而达到调控Co的电子构型的目的。本发明通过对Co4N纳米片进行部分还原,得到了不同氮含量的缺陷型Co4N纳米片。氮含量不同的缺陷型Co4N纳米片具有不同的电子构型,其中Co离子的eg电子填充数也不同,在催化、储能等领域具有很大的使用潜能。

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