形成电组件和存储器胞元的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201180055984.8
IPC分类号：H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/8242;H01L27/108
申请日期：
2011-10-14
申请人：
美光科技公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	形成电组件和存储器胞元的方法
申请号	CN201180055984.8	申请日期	2011-10-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-24	公开/公告号	CN103222044A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;8查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	斯科特·E·西里斯;罗伊·E·米迪
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	沈锦华

摘要

一些实施例包含形成电组件的方法。在第一结构之上形成第一和第二暴露的表面配置，且接着跨越所述表面配置形成材料。在两个或两个以上域当中再分所述材料，其中所述域中的第一者是通过所述第一表面配置诱发，且其中所述域中的第二者是通过所述第二表面配置诱发。接着在所述材料之上形成第二结构。所述材料的所述第一域并入到电组件中。所述第二域可由介电材料替换以在邻近电组件之间提供隔离，或可用作邻近电组件之间的介入区。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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