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一种中强度高耐热高导电率的铝基导线及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710917685.X
  • IPC分类号:C22C21/08;C22C1/03;B21C37/04;H01B1/02
  • 申请日期:
    2017-09-30
  • 申请人:
    昆明理工大学
著录项信息
专利名称一种中强度高耐热高导电率的铝基导线及制备方法
申请号CN201710917685.X申请日期2017-09-30
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2018-04-03公开/公告号CN107868893A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22C21/08IPC分类号C;2;2;C;2;1;/;0;8;;;C;2;2;C;1;/;0;3;;;B;2;1;C;3;7;/;0;4;;;H;0;1;B;1;/;0;2查看分类表>
申请人昆明理工大学申请人地址
云南省昆明市五华区学府路253号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昆明理工大学当前权利人昆明理工大学
发明人陈亮维;李平安;杨钢;吴云峰;全琪;刘状
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种中强度高耐热高导电率的铝基导线及制备方法,属于材料技术领域。本发明的中强度高耐热高导电率的铝基导线由以下金属元素和非金属元素制得:铝的质量计为1,镁0.5~0.6%、硅0.25~0.3%、铒0.1~0.3%、铈0.2~0.6%、铪0.02~0.3%、硼0.1~0.3%;本发明在铝中加入铒、铪、硼、镁、硅等元素,能够去气除杂、细化合金,防止偏析和改善组织,提高合金的耐热性;能使组织均匀化、促进更多Mg2Si强化相的形成,提高铝合金强度;改善铝合金微观组织,细化晶粒,使粗大的第二相变的细小且分布更加均匀,避免局部点蚀的蚀坑长大,増强合金的耐腐蚀性能;使杂质元素由固溶体形式转变为析出态沉于熔体底部,减少导体内部的晶格畸变,降低电子传输过程中与畸变晶格原子的碰撞,提高合金的电导率。

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