防掉片的硅片背面注入装置及注入方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010474382.7
IPC分类号：H01L21/683;H01L21/677
申请日期：
2020-05-29
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司

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著录项信息

专利名称	防掉片的硅片背面注入装置及注入方法
申请号	CN202010474382.7	申请日期	2020-05-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-11	公开/公告号	CN111653515A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/683 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/683 用于支承或夹紧的（用于定位、定向或对准的入H01L 21/68）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;7查看分类表>
申请人	华虹半导体（无锡）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区新洲路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华虹半导体（无锡）有限公司	当前权利人	华虹半导体（无锡）有限公司
发明人	郑刚;曹志伟;金新
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志

摘要

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种防掉片的硅片背面注入装置及注入方法。防掉片的硅片背面注入装置包括：静电吸盘，该静电吸盘用于吸附硅片；工作腔，该工作腔的真空度可调，该工作腔中设有用于产生离子束流的电子喷淋器；移行单元，该移行单元穿过该工作腔，用于将吸附有硅片的该静电吸盘移送至该工作腔中；在吸附有硅片的该静电吸盘移送至该工作腔中时，该电子喷淋器产生的离子束流能够喷淋至该硅片的背面。本申请提供的一种防掉片的硅片背面注入装置及注入方法，可以解决相关技术中在对IGBT薄型硅片进行背面注入过程中出现掉片的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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