首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

减少球状缺陷的方法及其装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200810207333.6
IPC分类号：H01L21/00
申请日期：
2008-12-19
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	减少球状缺陷的方法及其装置
申请号	CN200810207333.6	申请日期	2008-12-19
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-23	公开/公告号	CN101752209A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	曾德强;徐立;李世梁;俞海明
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	王洁

摘要

一种减少球状缺陷的方法及其装置，属于半导体制造技术领域。减少球状缺陷的方法是：通过在等离子干法刻蚀完成后，对半导体晶圆进行静电消除。减少球状缺陷的装置包括用于静电消除的电离空气吹洗设备。通过消除静电荷，能大大减少清洗过程中残留的静电电荷吸附清洗液中的碳硅元素形成杂质造成球状缺陷的现象，从而有效提晶圆制程中的成品率和可靠性。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供