SiCMOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质

发明专利有效专利

申请号：
CN202010739182.X
IPC分类号：G01R31/26
申请日期：
2020-07-28
申请人：
株洲中车时代半导体有限公司

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专利名称	SiCMOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质
申请号	CN202010739182.X	申请日期	2020-07-28
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-12-15	公开/公告号	CN112083305A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	株洲中车时代半导体有限公司	申请人地址	湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株洲中车时代半导体有限公司	当前权利人	株洲中车时代半导体有限公司
发明人	石帮兵;丁杰钦;李诚瞻;赵艳黎;郑昌伟;焦莎莎;罗烨辉;罗海辉
代理机构	北京聿宏知识产权代理有限公司	代理人	吴大建;金淼

摘要

本公开提供一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源‑漏二极管结电压；对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压进行线性拟合，得到源‑漏二极管结电压与温度的线性关系；对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压；利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压确定其结温。该方法利用SiC MOSFET器件的结电压在一定的栅源负电压下具有良好线性温敏特性的特点，能够实现器件结温的准确测量。

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