聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011158928.4
IPC分类号：C08J7/00;C08J5/18;G02F1/01;C08L27/16;C08L27/12
申请日期：
2020-10-26
申请人：
清华大学

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专利名称	聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法
申请号	CN202011158928.4	申请日期	2020-10-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-12	公开/公告号	CN112480451A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08J7/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08J 加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理（塑料的加工，如成型入B29）〔2〕 C08J7/00 高分子物质成形制品的化学处理或涂层（镀复金属材料入C23C；金属的电介沉积入C25）〔2〕	IPC分类号	C;0;8;J;7;/;0;0;;;C;0;8;J;5;/;1;8;;;G;0;2;F;1;/;0;1;;;C;0;8;L;2;7;/;1;6;;;C;0;8;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	沈洋;郭梦帆;林元华;南策文
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	周慧云

摘要

本发明公开了聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法，所述方法包括：(1)采用溶液法制备P(VDF‑TrFE)薄膜；(2)将所述P(VDF‑TrFE)薄膜置于150～300摄氏度下静置，退火，以便得到聚合物基太赫兹空间光调制器。与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：本发明制备的空间光调制器以高取向度的结晶P(VDF‑TrFE)作为功能层，具有良好的稳定性；具有高空间分辨率，最小分辨尺寸为200nm；对于太赫兹波段光具有空间选择性吸收，开关比可达10。本发明有效开拓了空间光调制作用在太赫兹波段的应用，具有良好的开关效应与空间分辨率，有利于其在太赫兹空间光调制器件与其柔性器件领域的实际应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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