脑电极后端连接用凸点、测试板的制备方法及测试结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202010795040.5
IPC分类号：A61B5/0478
申请日期：
2020-08-10
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	脑电极后端连接用凸点、测试板的制备方法及测试结构
申请号	CN202010795040.5	申请日期	2020-08-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-17	公开/公告号	CN111938635A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	A61B5/0478 ? IPC结构图谱： A 人类生活必需 A6 保健；救生；娱乐 A61 医学或兽医学；卫生学 A61B 诊断；外科；鉴定（分析生物材料入G01N，如G01N33/48） A61B5/00 用于诊断目的的测量（放射诊断入A61B6/00；超声波、声波或次声波诊断入A61B8/00）；人的辨识 A61B5/04 测量人体或人体各部分的生物电信号 A61B5/0476 脑电图术〔5〕 A61B5/0478 专门适用于脑电图术的电极〔5〕	IPC分类号	A;6;1;B;5;/;0;4;7;8查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	陶虎;王雪迎;周志涛;魏晓玲;郑发明
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	郝传鑫;贾允

摘要

本申请提供一种脑电极后端连接用凸点、测试板的制备方法及测试结构，该脑电极后端连接用凸点的制备方法包括以下步骤：在脑电极上制备凸点下金属层；凸点下金属层为镍金属层；在凸点下金属层上旋涂一层正性光刻胶；对正性光刻胶进行曝光、显影，暴露出凸点窗口区域；在凸点窗口区域电镀铜层；在铜层上电镀铅锡合金层，铅锡合金层能够覆盖凸点窗口区域；去除正性光刻胶，对凸点下金属层进行干法刻蚀处理，获得蘑菇状焊料柱；通过保护回流，获得球形凸点。本申请根据柔性脑电极的焊盘材质的特性提供的脑电极后端连接用凸点的制备方法，使脑电极可以在较低温度下实现热压互联，避免对器件的损坏。

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