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一种适用于晶片边缘抛光的组合物及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410757863.3
  • IPC分类号:H01L21/312
  • 申请日期:
    2014-12-10
  • 申请人:
    深圳市力合材料有限公司;清华大学;深圳清华大学研究院
著录项信息
专利名称一种适用于晶片边缘抛光的组合物及其制备方法
申请号CN201410757863.3申请日期2014-12-10
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-04-01公开/公告号CN104479559A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/312
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;2查看分类表>
申请人深圳市力合材料有限公司;清华大学;深圳清华大学研究院申请人地址
广东省深圳市南山区松白路西丽南岗第二工业园九栋一楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市力合材料有限公司,清华大学,深圳清华大学研究院当前权利人深圳市力合材料有限公司,清华大学,深圳清华大学研究院
发明人潘国顺;顾忠华;龚桦;邹春莉;罗桂海;王鑫;陈高攀
代理机构深圳市鼎言知识产权代理有限公司代理人哈达
摘要
本发明一种适用于晶片边缘抛光的组合物及制备方法,涉及化学机械抛光技术领域,该组合物的组分及配比为,酸性二氧化硅溶胶1~50wt,羧基磷酸化合物0.01~1wt,唑类化合物0.01~1wt,酸性化合物0.01~1wt%,碱性化合物0.1~10wt%,表面活性剂0.001~0.5wt%,去离子水余量。其中酸性二氧化硅溶胶包含平均粒径为1~10nm的极小纳米二氧化硅及30~80nm的纳米二氧化硅混合物。本发明在能获得光滑抛光边缘的同时,可明显降低晶片内部损伤及边抛光过程中抛光残留物,改善边抛光后外延处理过程中产生的滑移线缺陷,并使边抛液在抛光过程中速率稳定高效。

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